日前，理想汽车官方宣布，其功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产，打造汽车专用功率模块的自主设计和生产制造能力。预计产线将在2024年投产，计划产能可达240万只碳化硅半桥功率模块。
碳化硅功率半导体属于第三代半导体，对比目前较为普及的硅材料功率半导体器件，具有耐高压、耐高温、关断频率高、损耗低等优点，更适合应用在目前更被看好的800V高压电驱动系统中，以及配套的1000V高压直流快充。
『SiC功率半导体器件』
日前，理想汽车官方宣布，其功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产，打造汽车专用功率模块的自主设计和生产制造能力。预计产线将在2024年投产，计划产能可达240万只碳化硅半桥功率模块。
碳化硅功率半导体属于第三代半导体，对比目前较为普及的硅材料功率半导体器件，具有耐高压、耐高温、关断频率高、损耗低等优点，更适合应用在目前更被看好的800V高压电驱动系统中，以及配套的1000V高压直流快充。
『SiC功率半导体器件』